单总线通信协议中存在两种写时隙：写0写1 产生1时隙的方式：主机拉低总线后，接着必须在15us之内释放总线，由上拉电阻将总线拉至高电平 产生写0时隙的方式为在主机拉低后，只需要在整个时隙间保持低电平即可（至少60us）
 问问如果产生1时隙时如果我15us不放开，由于主机写时缝能60到120 我感觉有充足的时间把它给拉高 为什么是必须
能不能个给我总结一下达拉斯单总线协议的用法 我总感觉我貌似懂一点 可是仔细一想什么都不懂 求高手指点迷津

去找个实际的例子，读DS18B20d的单片机代码看看